Hightech-Halbleiter für künftige Anwendungen müssen mit äußerster Präzision hergestellt werden. Am Institut für Halbleitertechnik der TU Braunschweig züchten Dipl.-Ing. Stephan Merzsch und Dipl.-Phys. Sönke Fündling mithilfe der Gasphasenepitaxie einkristalline III/V-Halbleiter schichtweise auf unterschiedlichen Substraten. Institut für Halbleitertechnik/TU Braunschweig

Nitrid-Halbleiter sind die Grundlage für moderne Beleuchtungstechnik. Schon in naher Zukunft werden so genannte Weißlicht-LEDs auf Nitrid-Basis mit weiter verbesserten Eigenschaften ineffiziente Glühbirnen verdrängen. Sie können in Frontscheinwerfern von Autos strahlen, die Herstellung von Taschen-Beamern ermöglichen und in zahllose weitere Produkte Einzug halten.

Ein herausragendes Merkmal der LED-Technik ist die Effizienz: Im Vergleich zu konventionellen Glühbirnen wird fast keine elektrische Energie mehr benötigt - ein hervorragendes Beispiel für klugen Energieverbrauch ("Smart Energy Consumption") und ein weiterer Schritt in Richtung nachhaltige Technologien.

Über 150 Spezialistinnen und Spezialisten aus dem Bereich der Halbleiter-Epitaxie treffen sich am 4. und 5.12.2008 an der Technischen Universität Braunschweig zum 23. Workshop des Arbeitskreises "Epitaxie von III/V-Halbleitern" der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (DGKK). Sie werden die neuesten Entwicklungen im Bereich Herstellung, Prozessierung und Anwendung von Halbleitern diskutieren.

Ausgerichtet wird die Veranstaltung vom Institut für Halbleitertechnik der Technischen Universität Braunschweig. Veranstaltungsort ist die Welfenakademie, Salzdahlumer Straße 160, 38126 Braunschweig.